Producten Introductie

Waarom heeft de Ta10W-plaat zo'n hoge toepassingswaarde?

Dit komt omdat het samenstellingsontwerp en het geavanceerde voorbereidingsproces niet alleen de voordelen van individuele metalen behouden, maar ook prestatiedoorbraken bereiken via legeringen.

Wat de samenstelling betreft, is het tantaalgehalte van dit product groter dan of gelijk aan 89,5% en wordt het wolfraamgehalte strikt gecontroleerd op 9,5% ~ 10,5%. De hoge-sterkte en hardheid van het materiaal worden aanzienlijk verbeterd door het versterkingsmechanisme voor vaste oplossingen. Tegelijkertijd wordt het gehalte aan onzuiverheden zoals zuurstof (minder dan of gelijk aan 0,03%), koolstof (minder dan of gelijk aan 0,02%) en stikstof (minder dan of gelijk aan 0,01%) strikt gecontroleerd om te voorkomen dat onzuiverheden de prestaties van halfgeleiderapparaten negatief beïnvloeden.

Op technologisch vlak wordt de vacuümboogsmelttechnologie gebruikt om gasonzuiverheden te verwijderen, en wordt meer-precisiewalsen gebruikt om de uniformiteit van de plaatdikte te garanderen. Ten slotte worden de korrels verfijnd door middel van een vacuümgloeibehandeling, die hoge sterkte en goede plastic taaiheid combineert. De rek kan meer dan 20% bedragen en is niet gevoelig voor brosse breuken.

In termen van belangrijke prestaties heeft de Ta10W-plaat veel voordelen: in termen van hoge-temperatuurstabiliteit is het smeltpunt zo hoog als 3020 graden, en kan de structurele stabiliteit nog steeds worden gehandhaafd in een hoge-temperatuuromgeving van 1600 graden. Het heeft een uitstekende kruipweerstand en is langdurig bestand tegen procesbelastingen bij hoge- temperaturen bij de productie van halfgeleiders; in termen van corrosieweerstand vertoont het een sterke tolerantie voor corrosieve media zoals zoutzuur, salpeterzuur, koningswater en organische zuren die veel voorkomen in halfgeleiderprocessen; in termen van verwerkingsprestaties heeft het goede koudwerkprestaties en wordt de oppervlakteruwheid gecontroleerd op Ra 0,8 μm. Het volgende voldoet aan de vereisten voor precisiemontage van halfgeleiderapparaten. Bovendien geeft de hoge dichtheid (16,6 ~ 16,8 g/cm³) het uitstekende stralingsafschermende eigenschappen, en de lage neutronenabsorptie-eigenschappen geven het ook unieke voordelen in het halfgeleiderionenimplantatieproces.

Producten Beschrijving

productnaam	Ta10w Tantaalplaat
dikte	16,6~16,8 g/cm³
smeltpunt	3000 ~ 3080 graden
lengte	50 ~ 3000 mm, aangepast
breedte	50 ~ 800 mm, aangepast
dikte	0,5 ~ 20 mm, aangepast
dikte tolerantie	±0,05 mm
treksterkte	Groter dan of gelijk aan 550 MPa
vloeigrens	Groter dan of gelijk aan 379 MPa
verlenging	Groter dan of gelijk aan 20%

Producten Toepassing

Met zijn uitgebreide prestatievoordelen hebben de Ta10W-platen uitgebreide en belangrijke toepassingen in de halfgeleiderindustrie, die meerdere kernschakels bestrijken, van de productie van wafers tot de verpakking van apparaten:

Sputterend doelveld

Als kernmateriaal voor de afzetting van dunne halfgeleiderfilms kunnen Ta10W-platen worden verwerkt tot ronde (diameter 20 ~ 400 mm) of vierkante (breedte 10 ~ 1000 mm) sputterdoelen, die worden gebruikt om belangrijke films zoals barrièrelagen en elektrodelagen in halfgeleiderapparaten voor te bereiden. De hoge-dichtheidskarakteristieken zorgen voor voldoende atomaire kinetische energie tijdens het sputterproces, en de gevormde film is dicht en-vrij; de uitstekende elektrische en thermische geleidbaarheid ervan garandeert de stabiliteit van het sputterproces en vermindert het risico op oververhitting en barsten van het doel; de hoge zuiverheid en het lage gehalte aan onzuiverheden voorkomen filmverontreiniging, verbeteren de elektrische prestaties en betrouwbaarheid van halfgeleiderapparaten en worden veel gebruikt bij de productie van logica-chips, geheugenchips, vermogenshalfgeleiders en andere producten.

Procescomponenten op hoge temperatuur

Bij processen zoals ionenimplantatie en het uitgloeien bij hoge- temperatuur van halfgeleiderwafels worden Ta10W-platen gebruikt om smeltkroezen, boten, beugels voor verwarmingselementen en andere componenten te vervaardigen. Het kan nog steeds de structurele stabiliteit behouden in omgevingen met extreem hoge- temperaturen boven de 3000 graden en zal niet zachter worden of vervormen als gevolg van hoge temperaturen. Het heeft ook een sterke corrosieweerstand en zal niet worden geërodeerd door verschillende corrosieve gassen en chemische reagentia, waardoor de opbrengst van de waferverwerking wordt verbeterd. Bovendien zorgt de lage thermische uitzettingscoëfficiënt ervoor dat componenten dimensionaal stabiel zijn tijdens herhaalde cycli van hoge en lage temperaturen, waardoor de levensduur van de componenten wordt verlengd.

Vacuüm- en corrosieve omgevingscomponenten

De productie van halfgeleiders wordt meestal uitgevoerd in hoogvacuüm en zeer corrosieve omgevingen. Ta10W-platen kunnen worden gebruikt voor de vervaardiging van belangrijke componenten zoals voeringen van vacuümkamers, pijpen, kleppen en afdichtingen. De uitstekende vacuümcompatibiliteit en luchtdichtheid kunnen effectief een hoog vacuüm in de procesomgeving handhaven; het vermogen om corrosieve media zoals zoutzuur, salpeterzuur en koningswater te weerstaan, maakt het onmisbaar in procesapparatuur zoals nat etsen en reinigen. Het kan traditionele corrosie-bestendige materialen vervangen en de onderhoudskosten van apparatuur en het risico op stilstand verminderen.